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HY-WT9530は、最大8インチの硬くて脆い基板に対応するため、2つのエアベアリングスピンドルと3つの真空チャックテーブルを備えています。オペレーターはカセットを手動でロードするだけでよく、粗研削、精密研削、クリーニング、回収を含む全自動サイクルを機械が実行します。研削後のTTVは1.5μm以下で、優れた平面度と表面粗さを実現しており、各種半導体ウェーハの裏面薄化に適しています。
ブランド :
HYRNUS商品番号 :
HY-WT9530注文（最小注文数量） :
1 Set保証 :
One-Year Warranty and Lifetime Maintenance支払い :
T/Tリードタイム :
7-35 Days製品の原産地 :
Chinaエアベアリングスピンドルとチャックテーブルを備えた全自動ウェハーグラインダー
製品紹介
HY-WT9530 全自動ウェハーグラインダー 2 台の 9.5kW エアベアリング研削スピンドル、3 台のワークピースエアベアリングスピンドル、多孔質真空チャックテーブルを備え、最大 8 インチの硬くて脆い基板を加工し、最大機械的ワークピース容量は Ø300 mm に達します。オペレーターはカセットを手動でロードするだけでよく、複数のロボットアームが位置決め、粗研削、精密研削、スピン洗浄、アンロードを自動的に完了し、連続無人生産を実現します。研削 Z 軸は 120 mm の移動量と最小送り 0.1μm で安定した厚さ制御を実現します。研削後のウェーハ TTV≤1.5μm、ウェーハ間厚さ偏差 ±3μm、表面粗さ Ra＜10nm を実現し、さまざまな半導体ウェーハの裏面薄化において優れた平面度と表面仕上げを提供します。
製品用途
本装置は、直径300mmまでの基板を機械的に加工し、8インチ以内のSiC、LN、LT、サファイアなどの超硬脆性材料を取り扱うことができます。半導体ウェハの精密な裏面薄化に広く採用されており、ワイドバンドギャップ半導体や光電子材料の量産に対応しています。
機械構造図
機械操作プロセス
| ステップ | 操作手順 |
| 1 | ウェハーをカセットに手動でロードする |
| 2 | ロボットアームがカセットからウェハーを取り出し、アライメントステージに搬送する。 |
| 3 | アームT1はアライメントステージからウェーハを取り出し、チャックテーブルに載せる。 |
| 4 | ウェーハはZ2粗研削とZ1微研削を受け、アームT2がウェーハをチャックテーブルからスピン洗浄ステーションへ搬送する。 |
| 5 | ロボットアームはスピン洗浄ステーションからウェハーをピックアップし、カセットに戻して全工程を繰り返します。 |
仕様
| いいえ。 | アイテム | パラメータ |
| 1 | 最大ワークピースサイズ | 直径300mm |
| 2 | エアベアリング式研削スピンドル | 数量：2 |
| 電力：9.5kW | ||
| 速度：1000～4000回転/分 | ||
| 3 | ワークピース用エアベアリングスピンドル | 数量：3 |
| 速度：10～300回転/分 | ||
| 4 | Z軸の研削 | トラベル量：120mm |
| 研削送り速度：0.0001～0.08 mm/s | ||
| 最小送りステップ：0.1μm | ||
| 5 | 保持方法 | 多孔質真空チャックテーブル |
| 6 | 研削後のTTV | 1.5μm |
| 7 | 研削後のウェーハ間厚さのばらつき | ±3μm |
| 8 | 精密研削後の表面粗さ | Ra＜10 nm |
| 9 | 全体寸法 | 1430×3300×1900 mm |
| 10 | 機械重量 | 5000kg |
メインフレーム
| いいえ。 | アイテム | 説明 |
| 1 | フレーム | 下部フレーム：50×100mm角パイプ溶接支持構造（標準仕様） |
| 上部フレーム：30×60mmアルミニウムプロファイル | ||
| 2 | カバープレート | プラスチック塗装面を施した冷間圧延鋼板（標準仕様） |
| 3 | 構造部品 | クロムメッキを施した45番鋼、陽極酸化処理を施したアルミニウム合金 |
| 4 | 電源 | 3相380V、50Hz |
| 5 | 空気供給 | 0.5 MPa以上、400 L/分 |
商品詳細
9.5kWのエアベアリングスピンドル2基とチャックテーブル3台を搭載し、超低振動を実現。研削後のTTV ≤1.5μm、ウェーハ間厚さ偏差±3μm、表面粗さRa＜10nmを実現し、SiC基板のチッピング率を大幅に低減します。
最大8インチまでのSiC、LN、LT、サファイア基板の加工に対応し、シリコンウェハ、セラミック、LED基板とも互換性があります。独自の研削プロセスレシピをシステムに保存できます。
Z軸は、超薄型シリコンウェハの薄化に対応するため、最小送り増分0.1μmを実現しています。これにより、SiCなどの硬くて脆い材料でも、表面下深部への損傷を与えることなく、安定した厚み制御を維持できます。
エアベアリングスピンドルと研削砥石は自社開発です。主要部品には、東京精密、三菱、THK、SMC、シュナイダーなどの一流ブランドを採用しています。日常的なメンテナンスを容易にするため、標準スペアパーツは在庫しています。
HY-WT9330は、エアベアリング式研削スピンドル1基とエアベアリング式ワークスピンドル2基を搭載しています。最大12インチまでの様々な超硬質、脆性、難削性基板を加工でき、高効率かつ損傷のない超精密な鏡面研削と優れた厚み精度を実現し、あらゆる種類のチップウェハの裏面薄化加工に適しています。
HY-WT9730は最大12インチのウェハに対応しています。3つの研削用エアベアリングスピンドルと4つのワークピース用エアベアリングスピンドルを搭載し、粗研削、精密研削、研磨の各工程を統合しています。 完全なロボットワークフローにより、ウェハ搬送、処理、洗浄、およびアンロードが自動的に完了します。手動でカセットを供給するだけで済みます。超高精度のZ軸送りにより、優れたウェハ平面度と損傷のない鏡面研磨を実現し、堅牢なフレームが安定した量産を保証します。
HY-WT9230は、最大12インチまでの超硬脆性半導体材料向けに開発されました。デュアルエアベアリングスピンドルと高精度研削Z軸を搭載し、高効率かつ損傷のない全自動ミラー薄化加工に対応します。多孔質真空チャックと超精密送り制御により、半導体ウェハ薄化プロセスにおいて優れた平面度と厚み均一性を実現します。
HY-IS1000は、レーザー加工とウェーハ剥離プロセスを組み合わせた、2ステーション構成のSiCインゴットレーザー切断・研削装置です。超短パルスレーザーを用いてSiCインゴット内部に改質層を形成することで、切断痕のないウェーハ分割を実現し、研削後のウェーハTTVが1.1μm以下という高いスループットを実現します。第3世代半導体基板製造における必須の量産装置です。
HY-WC615 両面ウェハ面取り機 CCDビジョン位置決めモジュールとオンライン厚さ測定モジュール、自社開発の中核機械部品、および全自動ローディング／アンローディングシステムを搭載し、ウェーハ面取り加工において優れた加工精度とユーザーフレンドリーなタッチ操作を実現します。
HY-ST3005は、4～12インチの硬くて脆い半導体基板に対応し、高精度な裏面薄膜化処理が可能です。 精度と長期安定性を向上させるために繰り返し改良された本装置は、高性能なコアアセンブリ（静圧式空気軸受研削スピンドル、高精度ウェーハスピンドル、高剛性大径回転テーブル）と高度な自動化機能を備え、シリコンおよび化合物半導体ウェーハの量産に対応します。
HY-ST3002は、4～12インチのウェハに対応し、硬くて脆い半導体の精密な薄化および研削加工を行います。成熟したプロセスで完全にアップグレードされ、精度と安定した長期運転性能が向上しています。洗練された自動薄化アーキテクチャと、静圧式エアベアリング研削スピンドル、静圧式エアベアリングウェハ保持スピンドル、高剛性大径回転テーブルといった高品質な主要部品を採用しています。
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