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HY-WT9330は、エアベアリング式研削スピンドル1基とエアベアリング式ワークスピンドル2基を搭載しています。最大12インチまでの様々な超硬質、脆性、難削性基板を加工でき、高効率かつ損傷のない超精密な鏡面研削と優れた厚み精度を実現し、あらゆる種類のチップウェハの裏面薄化加工に適しています。
ブランド :
HYRNUS商品番号 :
HY-WT9330注文（最小注文数量） :
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One-Year Warranty and Lifetime Maintenance支払い :
T/Tリードタイム :
7-35 Days製品の原産地 :
China12インチ硬脆性基板向け高性能ウェハー薄化・研削装置
製品紹介
HY-WT9330 高性能ウェハー薄化・研削装置 9.5kWのエアベアリング研削スピンドル1基とエアベアリングワークスピンドル2基を備え、ウェーハを安定して保持するための多孔質真空チャックテーブルが装備されています。最大加工サイズØ300mmの硬くて脆い基板をサポートします。オペレーターはカセットを手動でロードするだけでよく、複数のロボットアームが位置決め、研削、スピン洗浄、乾燥を自動的に完了し、無人大量生産を実現します。研削Z軸は120mmの移動量と最小送り増分0.1μmを備え、精密な厚さ制御を保証します。研削後のウェーハTTVは1μmに達し、ウェーハ間厚さ偏差は±2.5μm、表面粗さRa＜10nmで、あらゆる種類のチップウェーハの裏面薄化において優れた平面度と鏡面仕上げを実現します。
製品用途
この装置は、硬くて脆い電子材料や部品の精密研削用に設計されています。シリコン、炭化ケイ素、化合物半導体、エポキシ樹脂、サファイア、セラミックなど、複数の基板に対応しており、特に12インチ以内のSiC、タンタル酸リチウム（LT）、ニオブ酸リチウム（LN）などの研削が困難な超硬質材料向けに開発されています。集積回路、個別半導体デバイス、LEDチップ用のシリコンウェハの裏面薄化に幅広く応用されています。
機械構造図
機械操作プロセス
| ステップ | 操作説明 |
| 1 | ウェハーカセットを手動で装置にセットしてください。 |
| 2 | ロボットアームがカセットからウェハーを取り出し、中心位置合わせのために位置決めステージへ移送する。 |
| 3 | アームT1は位置決めステージからウェハーをピックアップし、チャックテーブル上に配置します。 |
| 4 | 研削加工を行う。 |
| 5 | アームT2はチャックテーブルからウェハーを吸着し、洗浄と乾燥のためにスピン洗浄ステーションへ移動させる。 |
| 6 | ロボットアームは、スピン洗浄ステーションからウェハーを取り出し、カセットに戻す。そして、上記の流れが繰り返し行われる。 |
仕様
| いいえ。 | アイテム | パラメータ |
| 1 | 最大ワークピースサイズ | 直径300mm |
| 2 | エアベアリングスピンドルの研削 | 数量：1 |
| 電力：9.5kW | ||
| 速度：800～4000回転/分 | ||
| 3 | ワークピース用エアベアリングスピンドル | 数量：2 |
| 速度：50～300回転/分 | ||
| 4 | Z軸の研削 | トラベル量：120mm |
| 研削送り速度：0.0001～0.08 mm/s | ||
| 最小送り増分：0.1μm | ||
| 5 | クランプ方法 | 多孔質真空チャック |
| 6 | 研削後のTTV | 1μm |
| 7 | 加工後のウェハ間厚さのばらつき | ±2.5μm |
| 8 | 研削後の表面粗さ | Ra＜10 nm |
| 9 | 全体寸法 | 3131*1000*1997 mm |
メインフレーム
| いいえ。 | アイテム | 説明 |
| 1 | フレーム | 下部フレーム：50×100mm角パイプ溶接支持構造（標準仕様） |
| 上部フレーム：30×60アルミニウムプロファイル | ||
| 2 | カバープレート | プラスチック塗装面を施した冷間圧延鋼板（標準仕様） |
| 3 | 構造部品 | クロムメッキ表面の45番鋼と陽極酸化表面のアルミニウム合金 |
| 4 | 電源 | 三相380V、50Hz |
| 5 | 空気源 | 0.5 MPa以上、400 L/分 |
商品詳細
HY-WT9530は、最大8インチの硬くて脆い基板に対応するため、2つのエアベアリングスピンドルと3つの真空チャックテーブルを備えています。オペレーターはカセットを手動でロードするだけでよく、粗研削、精密研削、クリーニング、回収を含む全自動サイクルを機械が実行します。研削後のTTVは1.5μm以下で、優れた平面度と表面粗さを実現しており、各種半導体ウェーハの裏面薄化に適しています。
HY-WT9730は最大12インチのウェハに対応しています。3つの研削用エアベアリングスピンドルと4つのワークピース用エアベアリングスピンドルを搭載し、粗研削、精密研削、研磨の各工程を統合しています。 完全なロボットワークフローにより、ウェハ搬送、処理、洗浄、およびアンロードが自動的に完了します。手動でカセットを供給するだけで済みます。超高精度のZ軸送りにより、優れたウェハ平面度と損傷のない鏡面研磨を実現し、堅牢なフレームが安定した量産を保証します。
HY-WT9230は、最大12インチまでの超硬脆性半導体材料向けに開発されました。デュアルエアベアリングスピンドルと高精度研削Z軸を搭載し、高効率かつ損傷のない全自動ミラー薄化加工に対応します。多孔質真空チャックと超精密送り制御により、半導体ウェハ薄化プロセスにおいて優れた平面度と厚み均一性を実現します。
HY-IS1000は、レーザー加工とウェーハ剥離プロセスを組み合わせた、2ステーション構成のSiCインゴットレーザー切断・研削装置です。超短パルスレーザーを用いてSiCインゴット内部に改質層を形成することで、切断痕のないウェーハ分割を実現し、研削後のウェーハTTVが1.1μm以下という高いスループットを実現します。第3世代半導体基板製造における必須の量産装置です。
HY-WC615 両面ウェハ面取り機 CCDビジョン位置決めモジュールとオンライン厚さ測定モジュール、自社開発の中核機械部品、および全自動ローディング／アンローディングシステムを搭載し、ウェーハ面取り加工において優れた加工精度とユーザーフレンドリーなタッチ操作を実現します。
HY-ST3005は、4～12インチの硬くて脆い半導体基板に対応し、高精度な裏面薄膜化処理が可能です。 精度と長期安定性を向上させるために繰り返し改良された本装置は、高性能なコアアセンブリ（静圧式空気軸受研削スピンドル、高精度ウェーハスピンドル、高剛性大径回転テーブル）と高度な自動化機能を備え、シリコンおよび化合物半導体ウェーハの量産に対応します。
HY-ST3002は、4～12インチのウェハに対応し、硬くて脆い半導体の精密な薄化および研削加工を行います。成熟したプロセスで完全にアップグレードされ、精度と安定した長期運転性能が向上しています。洗練された自動薄化アーキテクチャと、静圧式エアベアリング研削スピンドル、静圧式エアベアリングウェハ保持スピンドル、高剛性大径回転テーブルといった高品質な主要部品を採用しています。
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