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6/8/12インチウェハー用SiCインゴットレーザーステルス切断・研削機

HY-IS1000は、レーザー加工とウェーハ剥離プロセスを組み合わせた、2ステーション構成のSiCインゴットレーザー切断・研削装置です。超短パルスレーザーを用いてSiCインゴット内部に改質層を形成することで、切断痕のないウェーハ分割を実現し、研削後のウェーハTTVが1.1μm以下という高いスループットを実現します。第3世代半導体基板製造における必須の量産装置です。

  • ブランド :

    HYRNUS
  • 商品番号 :

    HY-IS1000
  • 注文(最小注文数量) :

    1 Set
  • 保証 :

    One-Year Warranty and Lifetime Maintenance
  • 支払い :

    T/T
  • リードタイム :

    7-35 Days
  • 製品の原産地 :

    China
  • 6/8/12インチウェハー用SiCインゴットレーザーステルス切断・研削機

     

    製品紹介

    HY-IS1000 SiCインゴットレーザーステルス切断・研削機 本装置は、レーザー加工ステーションとウェーハ剥離ステーションを統合した2ステーション構成のSiCインゴットレーザー切断・研削装置です。レーザー加工ステーションでは、ウェーハに適合した透過波長の超短パルスレーザーを高精度光学系でインゴットの所定の深さに集光し、多光子吸収を誘発して材料の化学結合を切断し、高転位密度領域を有する改質層を形成します。改質後、ウェーハ剥離ステーションは、あらかじめ設定された結晶破断面に沿って剥離を行い、鋸痕のないウェーハのインゴットからの分離を実現します。高い加工効率(8インチウェーハ1枚を25分以内に処理可能)と1.1μm以下の研削面TTVを誇り、第3世代半導体基板の量産に不可欠な製造装置です。

     

    機械構造図

     

    Wafer Laser Cutting

     

    機械操作プロセス

     

    いいえ。操作手順
    1SiCインゴットを積載ステーションに置く
    2インゴットの測定を実施する
    3インゴットをレーザー加工プラットフォームに移送する
    4レーザー加工
    5ロボットアームがインゴットを拾い上げる
    6二次的なインゴット測定を実施する
    7搬送機構がインゴットを吸収する
    8ウェーハ分離のため、剥離プラットフォームへ移送する。
    9インゴットを反転ステーションに移送し、底面を洗浄する。
    10インゴットを洗浄ステーションに移し、上面洗浄と遠心乾燥を行う。
    11インゴットを荷降ろしステーションに置く
    12分離されたウェーハをターンオーバーステーションに移送し、底面を洗浄する。
    13ウェハを洗浄ステーションに移し、上面洗浄とスピン乾燥を行う。
    14ウェハーをアンロードステーションに置く

     

    仕様

    1. 検査基準

    パラメータX軸Y軸Z軸測定機器
    まっすぐ1 μm/100 mm1 μm/100 mmオートコリメータ
    平坦性1μm/210mm1μm/210mmオートコリメータ
    直交性XY軸で5μmセラミック製正方形定規
    再現性±1 μm±2 μm±1 μmレーザー干渉計
    位置決め精度±2 μm±3 μm±2 μmレーザー干渉計
    耐荷重5kgX+5 kg10kg標準重量

     

    2. 利点と特徴

    パラメータ仕様
    インゴット直径6/8/12インチに対応
    インゴットの厚さ≤50 mm(カスタマイズ可能)
    スライス厚さ標準厚さ150/700μmに対応(カスタマイズ可能)
    シングルラインスループットUPH ≥ 3
    レーザー切断精度繰り返し精度 ≤ ±1 μm、位置決め精度 ≤ ±2 μm
    分離ウェーハ厚さ≤500 μm

     

    3. 精度仕様

    セクション名パラメータ項目X軸Y軸Z軸仕様
    修正ステーション – 機械的幾何精度まっすぐ1 μm/100 mm1 μm/100 mm
    平坦性1μm/210mm1μm/210mm
    直交性XY軸方向5μm
    改造ステーション – 静的性能再現性±1 μm±2 μm±1 μm
    位置決め精度±2 μm±3 μm±2 μm
    耐荷重5kgX+5 kg10kg
    分離ステーション – サーボモジュール軸の再現性≤ ±0.02 mm
    分離ステーション – ボールスクリュー軸の再現性≤ ±0.02 mm
    分離ステーション – ピックアンドプレースの精度XY位置精度±0.02 mm
    角度精度±0.1°
     

    メインフレーム

     

    カテゴリコンポーネントと仕様
    改造ステーションの範囲花崗岩製ベース、リニアモーター式エアベアリングY軸、リニアモーター式エアベアリングX軸、サーボモーター式Z軸、サーボモーター式トランスファー軸、軸駆動コントローラー、輸送用梱包および保険
    分離ステーションの範囲1. フレーム
    上部/下部フレーム:溶接フレーム本体+板金外装
    2. カバープレート
    上部カバープレート:プラスチック塗装面付き冷間圧延鋼板(標準仕様)
    底部カバープレート:プラスチック塗装面付き冷間圧延鋼板(標準仕様)
    3. 構造部品
    クロムメッキを施した45番鋼と陽極酸化処理を施したアルミニウム合金
    4. 電源
    単相220V、80A
    5. 空気源
    0.5 MPa以上、150 L/分

     

    製品詳細

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    Ingot Laser Slicing and Grinding Equipment

       

       

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    お問い合わせ :allen@hyrnus.com