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HY-WT9730は最大12インチのウェハに対応しています。3つの研削用エアベアリングスピンドルと4つのワークピース用エアベアリングスピンドルを搭載し、粗研削、精密研削、研磨の各工程を統合しています。
完全なロボットワークフローにより、ウェハ搬送、処理、洗浄、およびアンロードが自動的に完了します。手動でカセットを供給するだけで済みます。超高精度のZ軸送りにより、優れたウェハ平面度と損傷のない鏡面研磨を実現し、堅牢なフレームが安定した量産を保証します。
ブランド :
HYRNUS商品番号 :
HY-WT9730注文（最小注文数量） :
1 Set保証 :
One-Year Warranty and Lifetime Maintenance支払い :
T/Tリードタイム :
7-35 Days製品の原産地 :
China半導体パッケージング用全自動ウェーハ研削・研磨機
製品紹介
HY-WT9730 全自動ウェーハ研削研磨機 最大12インチ（直径300mm）までのウェハに対応。硬質、脆性、超硬質などあらゆる材料の研削および鏡面研磨を行い、ウェハ裏面の薄化を実現します。
3つの研削用エアベアリングスピンドルと4つの独立したワークピース用エアベアリングスピンドルを備えたこの装置は、粗研削、精密研削、鏡面研磨の各工程を統合しています。完全ロボット搬送システムにより、ウェーハの位置決め、研削、研磨、洗浄、乾燥を自動で行います。カセットの手動装填のみで、手作業を削減し、ウェーハの傷や欠けを防ぎます。最小増分0.1μmの超精密Z軸送り機構を搭載し、優れた平面度、低TTV、Ra＜5nmの超平滑鏡面を実現します。頑丈な防錆フレームにより、長期間にわたる半導体量産においても一貫した加工精度を維持します。
製品用途
この機械は、硬くて脆い材料や電子部品の研削・研磨に対応しています。最大12インチまでの基板に対応しており、シリコン、炭化ケイ素、半導体化合物、エポキシ樹脂、セラミックス、サファイアに加え、研削が困難な超硬結晶であるLTおよびLNも使用可能です。
本技術は、IC、ディスクリート部品、LED用シリコンウェハの裏面薄型化を実現し、半導体および光電子精密製造分野で幅広く応用されている。
機械構造図
機械操作プロセス
| ステップ | 操作手順 |
| 1 | ウェハカセットを手動で装置に装填する |
| 2 | ロボットアームがカセットからウェハーを取り出し、位置決めテーブルに搬送して中心位置合わせを行う。 |
| 3 | T1アームがウェハーを吸収し、ワークピースチャックテーブル上に配置します。 |
| 4 | 粗研削工程 |
| 5 | 微粉砕工程 |
| 6 | 鏡面研磨工程 |
| 7 | T2アームは加工されたウェハーを吸収し、洗浄と乾燥のためにスピン洗浄ステーションに送ります。 |
| 8 | ウェハはフィルムマウンターに搬送されるか、ロボットアームが洗浄済みのウェハをカセットに戻し、このプロセス全体が繰り返し実行される。 |
仕様
| いいえ。 | アイテム | パラメータ |
| 1 | 全体寸法 | 1690*3544*1951mm |
| 2 | ワークピースサイズ | 最大加工寸法：Ø300mm |
| 3 | 研削砥石用エアベアリングスピンドル | 数量：3 |
| スピンドル出力：9.5kW | ||
| スピンドル回転速度：800～4000回転/分 | ||
| 4 | ワークピースエアベアリングスピンドル | 数量：4 |
| スピンドル回転速度：50～300回転/分 | ||
| 5 | 研削・研磨 Z軸 | 移動範囲：120mm |
| 研削送り速度：0.0001～0.08mm/s | ||
| 最小送り増分：0.1μm | ||
| 6 | クランプ方法 | 多孔質真空チャック |
| 7 | TTVの後処理 | 2.5μm |
| 8 | 処理後のウェーハ間厚さのばらつき | ±2.5μm |
| 9 | 表面粗さの後処理 | Ra＜5nm |
メインフレーム
| いいえ。 | アイテム | 詳細 |
| 1 | フレーム | 下部フレーム：50100mm角パイプ溶接支持部材（標準構成） |
| 上部フレーム：3060 アルミニウムプロファイル | ||
| 2 | カバープレート | プラスチック塗装面を施した冷間圧延鋼板（標準仕様） |
| 3 | 構造部品 | クロムメッキ表面の45番鋼と陽極酸化アルミニウム合金 |
| 4 | 電源 | 三相380V、50Hz |
| 5 | 空気源 | ≥0.5MPa、400L/分 |
製品詳細
HY-WT9330は、エアベアリング式研削スピンドル1基とエアベアリング式ワークスピンドル2基を搭載しています。最大12インチまでの様々な超硬質、脆性、難削性基板を加工でき、高効率かつ損傷のない超精密な鏡面研削と優れた厚み精度を実現し、あらゆる種類のチップウェハの裏面薄化加工に適しています。
HY-WT9530は、最大8インチの硬くて脆い基板に対応するため、2つのエアベアリングスピンドルと3つの真空チャックテーブルを備えています。オペレーターはカセットを手動でロードするだけでよく、粗研削、精密研削、クリーニング、回収を含む全自動サイクルを機械が実行します。研削後のTTVは1.5μm以下で、優れた平面度と表面粗さを実現しており、各種半導体ウェーハの裏面薄化に適しています。
HY-WT9230は、最大12インチまでの超硬脆性半導体材料向けに開発されました。デュアルエアベアリングスピンドルと高精度研削Z軸を搭載し、高効率かつ損傷のない全自動ミラー薄化加工に対応します。多孔質真空チャックと超精密送り制御により、半導体ウェハ薄化プロセスにおいて優れた平面度と厚み均一性を実現します。
HY-IS1000は、レーザー加工とウェーハ剥離プロセスを組み合わせた、2ステーション構成のSiCインゴットレーザー切断・研削装置です。超短パルスレーザーを用いてSiCインゴット内部に改質層を形成することで、切断痕のないウェーハ分割を実現し、研削後のウェーハTTVが1.1μm以下という高いスループットを実現します。第3世代半導体基板製造における必須の量産装置です。
HY-SP855 片面銅研磨機 半導体用硬脆材料の精密ラッピングおよび研磨に対応します。PLCタッチ制御と内蔵ディスクコンディショナーを採用し、可変周波数駆動、閉ループ圧力制御、プレート水冷機能を備えています。コンディショニング後のプレート平面度は0.01mmに達し、高精度基板の量産において安定した均一な加工を実現します。
HY-WC615 両面ウェハ面取り機 CCDビジョン位置決めモジュールとオンライン厚さ測定モジュール、自社開発の中核機械部品、および全自動ローディング／アンローディングシステムを搭載し、ウェーハ面取り加工において優れた加工精度とユーザーフレンドリーなタッチ操作を実現します。
HY-ST3005は、4～12インチの硬くて脆い半導体基板に対応し、高精度な裏面薄膜化処理が可能です。 精度と長期安定性を向上させるために繰り返し改良された本装置は、高性能なコアアセンブリ（静圧式空気軸受研削スピンドル、高精度ウェーハスピンドル、高剛性大径回転テーブル）と高度な自動化機能を備え、シリコンおよび化合物半導体ウェーハの量産に対応します。
HY-ST3002は、4～12インチのウェハに対応し、硬くて脆い半導体の精密な薄化および研削加工を行います。成熟したプロセスで完全にアップグレードされ、精度と安定した長期運転性能が向上しています。洗練された自動薄化アーキテクチャと、静圧式エアベアリング研削スピンドル、静圧式エアベアリングウェハ保持スピンドル、高剛性大径回転テーブルといった高品質な主要部品を採用しています。
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