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HY-WT9230は、最大12インチまでの超硬脆性半導体材料向けに開発されました。デュアルエアベアリングスピンドルと高精度研削Z軸を搭載し、高効率かつ損傷のない全自動ミラー薄化加工に対応します。多孔質真空チャックと超精密送り制御により、半導体ウェハ薄化プロセスにおいて優れた平面度と厚み均一性を実現します。
ブランド :
HYRNUS商品番号 :
HY-WT9230注文（最小注文数量） :
1 Set保証 :
One-Year Warranty and Lifetime Maintenance支払い :
T/Tリードタイム :
7-35 Days製品の原産地 :
China硬くて脆い半導体材料用ウェハー薄化装置
製品紹介
HY-WT9230 ウェハー薄化装置直径最大12インチまでの様々な超硬脆性半導体材料に適しています。デュアルエアベアリングスピンドルと高精度研削Z軸を搭載し、高効率、ワークピース損傷ゼロ、優れた厚み均一性を備えた全自動鏡面薄削り加工を実現します。
本装置は、多孔質セラミック製の真空チャックを採用し、ウェハを安定して保持します。これにより、最小送り速度0.1μm、研削後のTTVが3.0μm未満、8000番の砥石による精密研削後の表面粗さRaが10nm未満という性能を実現しています。
機械構造図
機械操作プロセス
| ステップ | 操作手順 |
| 1 | ウェハーをセラミックチャックに手動でセットすると、自動的に吸着されます。 |
| 2 | 搬送機構は、工作物のスピンドルを研削ステーションまで駆動する。 |
| 3 | 研削装置は、ウェハーを所定の厚さまで自動的に研削します。 |
| 4 | 搬送機構は、接地されたウェハをロード/アンロードステーションまで搬送する。 |
| 5 | 処理済みのウェハーを手作業で取り出す。 |
仕様
| アイテム | パラメータ |
| ワークピースのサイズ範囲 | 加工可能な最大サイズ：Ø300mm |
| 研削砥石用エアベアリングスピンドル | 数量：1 |
| スピンドル出力：11.0kW | |
| スピンドル回転速度：1000～4000回転/分 | |
| ワークピース用エアベアリングスピンドル | 数量：1 |
| スピンドル回転速度：10～300回転/分 | |
| Z軸の研削 | トラベル量：120mm |
| 研削送り速度：0.0001～0.08mm/s | |
| 最小送り増分：0.1μm | |
| クランプ方法 | 多孔質真空チャック |
| 研削後のTTV | ＜3.0μm |
| 研削後のウェーハ間厚さのばらつき | ±3μm |
| 精密研削後の表面粗さ | Ra＜10nm（8000番研削砥石） |
メインフレーム
| いいえ。 | アイテム | 仕様 |
| 1 | フレーム | 下部フレーム：鋳鉄製（標準仕様） |
| 上部フレーム：30×60アルミニウムプロファイル | ||
| 2 | カバープレート | 表面にRAL9003プラスチック塗装を施した冷間圧延鋼板（標準仕様） |
| 3 | 構造部品 | クロムメッキ表面の45番鋼、陽極酸化アルミニウム合金、ステンレス鋼 |
| 4 | 電源 | 三相380V、50Hz |
| 5 | 空気源 | ≥0.5 MPa（変動） ＜0.03 MPa）、150 L/分 |
| 6 | 水源 | 圧力：0.2～0.3 MPa |
| 流量： ＞20 L/分 | ||
| 温度：周囲温度＋2℃ （変動±1）℃) | ||
| 7 | 消費電力 | ウォームアップ：4kW、研削：8kW |
製品詳細
HY-WT9330は、エアベアリング式研削スピンドル1基とエアベアリング式ワークスピンドル2基を搭載しています。最大12インチまでの様々な超硬質、脆性、難削性基板を加工でき、高効率かつ損傷のない超精密な鏡面研削と優れた厚み精度を実現し、あらゆる種類のチップウェハの裏面薄化加工に適しています。
HY-WT9530は、最大8インチの硬くて脆い基板に対応するため、2つのエアベアリングスピンドルと3つの真空チャックテーブルを備えています。オペレーターはカセットを手動でロードするだけでよく、粗研削、精密研削、クリーニング、回収を含む全自動サイクルを機械が実行します。研削後のTTVは1.5μm以下で、優れた平面度と表面粗さを実現しており、各種半導体ウェーハの裏面薄化に適しています。
HY-WT9730は最大12インチのウェハに対応しています。3つの研削用エアベアリングスピンドルと4つのワークピース用エアベアリングスピンドルを搭載し、粗研削、精密研削、研磨の各工程を統合しています。 完全なロボットワークフローにより、ウェハ搬送、処理、洗浄、およびアンロードが自動的に完了します。手動でカセットを供給するだけで済みます。超高精度のZ軸送りにより、優れたウェハ平面度と損傷のない鏡面研磨を実現し、堅牢なフレームが安定した量産を保証します。
HY-IS1000は、レーザー加工とウェーハ剥離プロセスを組み合わせた、2ステーション構成のSiCインゴットレーザー切断・研削装置です。超短パルスレーザーを用いてSiCインゴット内部に改質層を形成することで、切断痕のないウェーハ分割を実現し、研削後のウェーハTTVが1.1μm以下という高いスループットを実現します。第3世代半導体基板製造における必須の量産装置です。
HY-WC615 両面ウェハ面取り機 CCDビジョン位置決めモジュールとオンライン厚さ測定モジュール、自社開発の中核機械部品、および全自動ローディング／アンローディングシステムを搭載し、ウェーハ面取り加工において優れた加工精度とユーザーフレンドリーなタッチ操作を実現します。
HY-ST3005は、4～12インチの硬くて脆い半導体基板に対応し、高精度な裏面薄膜化処理が可能です。 精度と長期安定性を向上させるために繰り返し改良された本装置は、高性能なコアアセンブリ（静圧式空気軸受研削スピンドル、高精度ウェーハスピンドル、高剛性大径回転テーブル）と高度な自動化機能を備え、シリコンおよび化合物半導体ウェーハの量産に対応します。
HY-ST3002は、4～12インチのウェハに対応し、硬くて脆い半導体の精密な薄化および研削加工を行います。成熟したプロセスで完全にアップグレードされ、精度と安定した長期運転性能が向上しています。洗練された自動薄化アーキテクチャと、静圧式エアベアリング研削スピンドル、静圧式エアベアリングウェハ保持スピンドル、高剛性大径回転テーブルといった高品質な主要部品を採用しています。
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