高信頼性パワーディスクリートデバイス向け高精度自動共晶接合機

HY-ED08 Dボンダー 140 msのサイクルタイムと25K UPHのスループットを実現し、X/Y位置決め精度は±30 μm以下、回転精度は±3°以下、配置精度は±2 μmです。このシステムは、チップサイズが0.15 × 0.15 mmから1 × 1 mm、リード厚が150 μm以上の8インチウェハに対応し、幅28～80 mm、厚さ0.1～0.3 mmのリードフレームを収容します。720 × 540ピクセルのカメラを搭載し、256段階のグレースケールと16 × 16 mmの範囲で1/2ピクセル（3.4 μm）の認識精度を実現しています。また、30～250 gの機械的接合力を持つデュアルヘッドボンドヘッド、最高500℃の6つの温度ゾーンを備え、リール材料供給にも対応しています。定格電力3 kW、空気消費量10 L/min（外部真空使用時）または220 L/min（外部真空使用時）で220V / 50Hzで動作するHY-ED08 R8は、低応力、低熱抵抗の共晶を実現します。大量生産用途向けに、高精度かつ高信頼性の接合を実現します。

技術仕様

アイテム	R8	R8-L
オペレーティング·システム	Windows 7
サイクルタイム	140ミリ秒	220ミリ秒
UPH	25,000ドル	16K
X/Y位置精度	≤ ±30 μm
回転精度	≤ ±3°
ウェハーサイズ	8"
チップサイズ	0.15×0.15～1×1 mm	0.3×0.3～2×2 mm
鉛の厚さ	≥150μm
リードフレーム幅	28～80mm
リードフレームの厚さ	0.1～0.3 mm
雑誌の長さ	190～290mm
マガジンの幅	32～95mm
マガジンの高さ	100～155mm
カメラ	256段階のグレースケール値
画像解像度	720×540ピクセル
認識精度	1/2ピクセル（3.4μm）
認識範囲	16×16 mm
ボンドヘッド	デュアルヘッド	直線型
ボンドフォース	30～250g（機械式）	20～250g（プログラム可能）
接着方法	表面ピックアップ
接着エリア	85×15 mm
配置精度	±2 μm
温度帯	6	8
最高温度	最高温度500℃
自動フィード	サポートされていません
自動ロード	サポートされていません
リール式材料供給装置	サポート対象
Zストローク	0～4mm
上針調整	電気
マルチニードル	オプション
電源	220V / 50Hz
圧縮空気	0.6～1.0 MPa
真空	-0.6～-1.0 kPa
定格電力	3kW	3.2 kW
空気消費量	10 L/分（外部真空使用時）	10 L/分（外部真空使用時）
	220 L/分（真空なしの場合）	120 L/分（真空なしの場合）
寸法	上部ユニット（長さ×幅×高さ）	1250 × 1100 × 1500 mm（タワーライトを除く）
	下部ユニット（長さ×幅×高さ）	950 × 740 × 1350 mm
	給餌器のサイズ（長さ×幅×高さ））	700 × 300 × 800 mm
重さ	上部ユニット	800kg
	下部ユニット	150kg

アプリケーションシナリオ

このSOT/SOD共晶ボンディング装置は、高信頼性パワーディスクリートデバイスのダイボンディング用に設計されています。低応力、低熱抵抗の共晶プロセスを特長とし、車載用、産業用、高周波民生用電子機器向けのMOSFETやダイオードの量産に幅広く利用されています。

 

製品詳細